土老冒：亲爱的网友，你们好吗？俺土老冒今天又和大家见面了！

　　Z博士：各位网友大家好，上周做了些什么事呢？你们装机了吗？如果没有，您的老电脑升级了吗？

　　土老冒：Z博士就知道让大家掏钱，你给俺钱，俺把那套老牛机升级一下。

　　Z博士：毛主席说，自力更生，丰衣足食，老土应该自己挣钱自己升级电脑。

　　土老冒：博士真是比葛朗台还吝啬，算了，俺还是继续攒钱留着娶媳妇吧。

　　Z博士：不知不觉又说了一堆废话，老土我们还是进入正题吧，今天想知道什么？

　　土老冒：其实俺今天想知道DDR3内存的一些知识，5月份Intel发布了P35芯片组，正式将DDR3内存带入应用阶段，博士先给我讲讲DDR3内存带来的好处吧。

　　Z博士：DDR2内存刚刚才普及，DDR3就来了，不得不感叹DIY硬件发展之快啊。

　　土老冒：我说博士，你今天怎么了？赶紧进入主题吧，还感叹个啥呢？

　　Z博士：没事不还准我感叹一下啊？这个DDR3内存嘛，有太多太多值得我们探讨的东西，首先，它给我们带来了频率和带宽的大幅度提升。目前DDR3内存规格最高为DDR3-1600，运行频率达到了1600MHz，已经是DDR2内存最高频率的两倍了，它可以提供高达12.8GB/S的带宽，如果组成双通道，则可以提供25.6GB/S的带宽！

　　土老冒：等等，带宽，带宽是什么？俺不知道，你给俺解释一下吧。

　　Z博士：我这里说的带宽，是指内存带宽。我们可以把CPU和北桥看作是两个具有密切交易关系的城市，把内存看作是连接它们之间交易货物的仓库和公路。内存容量好比仓库，当然是越大，存放的货物就越多，带宽则可以看作是这两座城市之间的公路，公路越宽，交易的时候往来的车辆就可以更多，如果说DDR内存所提供的带宽是普通的公路，那么DDR2内存的带宽是高速公路的话，DDR3内存可以看作是高速公路里的快车道。

　　土老冒：这个解释不错，通俗易懂。看来DDR3内存相比DDR2所提供的带宽提升了不少啊，进入快车道了。

　　Z博士：其实目前不好说，因为主流的CPU并不需要那么高的带宽，而即便是高端的Intel处理器也仅仅只有1333MHz前端总线，只需要两条DDR2 667内存组成双通道就可以满足需求，DDR3带来的巨大带宽，一定程度上有些浪费了。

　　土老冒：Z博士说得不一定正确，昨天俺看了中关村在线对Intel中国区总经理杨叙的访谈，他当时说，我们应该向前看，而不要把新产品看作是“杀鸡用牛刀”，未来PC的应用将会越来越复杂，现在生产的产品具有一定的前瞻性并不是什么错误。

　　Z博士：土老冒挺牛X啊，居然还看了杨叙访谈，博士我昨天由于太忙了都没时间看完，一会儿下来你得给我仔细讲讲访谈的内容。

　　土老冒：这个咱们下来再说，现在继续说DDR3内存吧。你说的这个巨大的带宽提升，到底提升了多少呢？

　　Z博士：DDR3内存目前的起始频率为800MHz，这和JEDEC规定的DDR2内存的最高频率相同，它目前拥有DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333和DDR3-1600等规格，而且这只是JEDEC规定的标准，目前已经有玩家将DDR3内存超频到了2000MHz以上！这个频率在过去是无法想象的，尽管它采用了非常规散热方式。

　　土老冒：疯狂玩家的行为咱就别提了，还是来些实际的吧，毕竟大多数用户还是跟俺一样，规规矩矩用电脑。不过博士说的这个事也给了俺一些启示，DDR3内存绝对是极限超频玩家的最佳选择。

　　Z博士：你的说法也不一定正确，因为尽管JEDEC规定DDR2内存的最高频率为800MHz，但实际上已经有不少实力雄厚的模组厂商推出了DDR2-1200甚至DDR2-1333的内存，在这种情况下，DDR3内存的竞争力就不高了，因为在频率得到提升的同时，DDR3内存的延迟也增加了。

　　土老冒：延迟是什么？提升延迟会影响性能吗？

　　Z博士：内存延迟是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。就如同你去餐厅吃饭，你点完菜，服务员下单，厨房按照你点的菜进行安排，在你点菜到上菜的这段等待的时间，就可以看作是内存的延迟。

　　土老冒：原来这就是延迟啊，如此说来延迟越高，等待的时间就越长。那么内存延迟到底是如何体现的呢？DDR3内存相对DDR2提升了多少延迟？

DDR3内存时序进一步提高

　　Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！

　　土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5-18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。

　　Z博士：这4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。

　　第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。

　　除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。

　　其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。

　　土老冒：好吧好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？

　　Z博士：其实DDR3内存的延迟也不仅仅是这么简单。DDR3内存的频率和带宽相比DDR2有了成倍的提升，为了保证高频率下数据传递的精确性，DDR3内存的总体延迟相比DDR2有所提高。这种情况在DDR2替代DDR时也发生过。

　　之前三星的半导体记忆体产品专家曾指出，片面地认为CL数值大就认为DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。这位专家指出，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5，其记忆体延迟均为15ns。

　　三星专表示，要计算整个内存的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其延迟值应为13.125ns（7*1000/533.33）、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。

　　由此看来，CL和延迟值是两个完全不同的概念，CL是指时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期，而真正意义上的延迟值，是指延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。很多人以为DDR3内存的延迟大大的增加了，但实际上DDR3内存的绝对延迟值相比DDR2却降低了。

　　土老冒：原来是这么个情况，如此说来DDR3的CL值增加了，但真正意义上的延迟却降低了。

　　Z博士：而且你也不必担心，尽管JEDEC将DDR3内存的时序设定得很保守，但实力雄厚的内存模组厂商肯定会推出低延迟的DDR3内存，就如同在DDR2时代，尽管DDR2-800内存的JEDEC规定时序为5-5-5-18，但却有DDR2-800 3-3-3时序的内存诞生，尽管它们的价格不菲。